Микрон окиси Lu2O3 лутеция пудрит очищенность 99,99%

Характер продукции

Окись лутеция (Lu2O3), также как lutecia, имеет кубическую кристаллическую структуру и доступный в белой форме порошка. Эта редкая окись земельного металла показывает благоприятные физические свойства, как высокая точка плавления (вокруг 2400°C), стабильность участка, механическая прочность, твердость, термальная проводимость, и низкое тепловое расширение. Знаны, что имеет смесь также широкое bandgap eV 5.2-5.5 и высоко--κ диэлектрическую константу около   κ =   11-13. Высокая плотность Lu2O3использует в scintillators и в различных активаторах должных к своему широкому bandgap. Должный к своей превосходной окиси лутеция физических свойств рассматривает, что быть превосходным материалом хозяина светомассы. Смеси редкой земли как Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm часто использованы как dopants в структуре окиси лутеция. Такие смеси обеспечивают важные светомассы и высокомощные лазеры. Furthermore, Lu2O3 смогите быть использовано как добавки в стекле и керамике, как катализатор для гидрогенизации, полимерности, трескать, и реакций алкилирования.

Применения

Lu2O3(Окись лутеция (III) или лутеций Sesquioxide) использует в керамике, стекле, scintillators, и твердых заявленных лазерах. Lu2O3обыкновенно использует как материал хозяина в делать материалы лазера.

Несколько примеры где особая чистота Lu2O3 была использована в исследовании водя к выдающим результатам исследования являются следующими:

Исследователи на Медицинском факультете Стэнфордского университета опубликовали статью где они сделали и использовали Eu: Lu2O3создать очень яркое scintillator тонкого фильма для одноячеистых изображений радионуклида. Они используют этот метод для просмотра метаболически свойств подобных клеток в реальное временя. Один из первоначальных материалов для того чтобы сделать этот материал было особой чистотой Lu2O3.

В другом примере где особая чистота Lu2O3использовал, исследователи на Clemson университет вырос одиночные кристаллы Lutetia через гидротермические методы выращивания кристаллов. Некоторые из материалов были даны допинг с ионами лазера активными и они после этого были изучены используя спектроскопические методы. Термальная проводимость кристаллов также была расследована.